Όπως όλοι γνωρίζουμε, οι μέθοδοι που χρησιμοποιούνται συνήθως στην επίστρωση κενού είναι η διαπνοή υπό κενό και η διασκορπισμός ιόντων.Ποια είναι η διαφορά μεταξύ της επικάλυψης διαπνοής και της επίστρωσης με ψεκασμό ΠολλάΑνθρωποι έχουν τέτοιες ερωτήσεις.Ας μοιραστούμε μαζί σας τη διαφορά μεταξύ της επικάλυψης διαπνοής και της επίστρωσης με ψεκασμό
Το φιλμ διαπνοής κενού προορίζεται για τη θέρμανση των δεδομένων προς διαπνοή σε μια σταθερή θερμοκρασία μέσω θέρμανσης αντίστασης ή δέσμης ηλεκτρονίων και κελύφους λέιζερ σε περιβάλλον με βαθμό κενού όχι μικρότερο από 10-2Pa, έτσι ώστε η ενέργεια θερμικής δόνησης των μορίων ή άτομα στα δεδομένα υπερβαίνει την ενέργεια δέσμευσης της επιφάνειας, έτσι ώστε πολλά μόρια ή άτομα διαπνέονται ή αυξάνονται, και τα εναποθέτουν απευθείας στο υπόστρωμα για να σχηματίσουν ένα φιλμ.Η επίστρωση επιμετάλλωσης ιόντων χρησιμοποιεί την κίνηση υψηλής αντίστασης των θετικών ιόντων που παράγονται από την εκκένωση αερίου υπό την επίδραση ηλεκτρικού πεδίου για να βομβαρδίσει τον στόχο ως κάθοδο, έτσι ώστε τα άτομα ή τα μόρια του στόχου να διαφύγουν και να εναποθέσουν στην επιφάνεια του επιμεταλλωμένου τεμαχίου εργασίας για να σχηματιστεί την απαιτούμενη ταινία.
Η πιο συχνά χρησιμοποιούμενη μέθοδος επίστρωσης με διαπνοή υπό κενό είναι η μέθοδος θέρμανσης με αντίσταση.Τα πλεονεκτήματά του είναι η απλή δομή της πηγής θέρμανσης, το χαμηλό κόστος και η βολική λειτουργία.Τα μειονεκτήματά του είναι ότι δεν είναι κατάλληλο για πυρίμαχα μέταλλα και ανθεκτικά σε υψηλές θερμοκρασίες μέσα.Η θέρμανση με δέσμη ηλεκτρονίων και η θέρμανση με λέιζερ μπορούν να ξεπεράσουν τα μειονεκτήματα της θέρμανσης με αντίσταση.Στη θέρμανση με δέσμη ηλεκτρονίων, η εστιασμένη δέσμη ηλεκτρονίων χρησιμοποιείται για την άμεση θέρμανση των δεδομένων με κέλυφος και η κινητική ενέργεια της δέσμης ηλεκτρονίων γίνεται θερμική ενέργεια για να κάνει τη διαπνοή των δεδομένων.Η θέρμανση με λέιζερ χρησιμοποιεί λέιζερ υψηλής ισχύος ως πηγή θέρμανσης, αλλά λόγω του υψηλού κόστους του λέιζερ υψηλής ισχύος, μπορεί να χρησιμοποιηθεί μόνο σε μικρό αριθμό ερευνητικών εργαστηρίων.
Η ικανότητα εκτόξευσης είναι διαφορετική από την ικανότητα διαπνοής υπό κενό.Το Sputtering αναφέρεται στο φαινόμενο που φορτισμένα σωματίδια βομβαρδίζουν πίσω στην επιφάνεια (στόχο) του σώματος, έτσι ώστε να εκπέμπονται στερεά άτομα ή μόρια από την επιφάνεια.Τα περισσότερα από τα εκπεμπόμενα σωματίδια είναι ατομικά, τα οποία συχνά αποκαλούνται διασκορπισμένα άτομα.Τα διασκορπισμένα σωματίδια που χρησιμοποιούνται για το κέλυφος στόχων μπορεί να είναι ηλεκτρόνια, ιόντα ή ουδέτερα σωματίδια.Επειδή τα ιόντα είναι εύκολο να αποκτήσουν την απαιτούμενη κινητική ενέργεια κάτω από ηλεκτρικό πεδίο, τα ιόντα επιλέγονται ως επί το πλείστον ως σωματίδια κελύφους.
Η διαδικασία εκτόξευσης βασίζεται στην εκκένωση πυράκτωσης, δηλαδή τα ιόντα εκτόξευσης προέρχονται από την εκκένωση αερίου.Διαφορετικές δεξιότητες εκτόξευσης έχουν διαφορετικές μεθόδους εκκένωσης λάμψης.Η εκτόξευση διόδων DC χρησιμοποιεί εκκένωση λάμψης DC.Η εκτόξευση τριόδου είναι μια εκκένωση λάμψης που υποστηρίζεται από θερμή κάθοδο.Η εκτόξευση RF χρησιμοποιεί εκκένωση λάμψης RF.Η εκτόξευση μαγνητρονίων είναι μια εκκένωση λάμψης που ελέγχεται από ένα δακτυλιοειδές μαγνητικό πεδίο.
Σε σύγκριση με την επίστρωση διαπνοής κενού, η επίστρωση διασκορπισμού έχει πολλά πλεονεκτήματα.Εάν οποιαδήποτε ουσία μπορεί να διασκορπιστεί, ειδικά στοιχεία και ενώσεις με υψηλό σημείο τήξης και χαμηλή πίεση ατμών.Η πρόσφυση μεταξύ της επιμεταλλωμένης μεμβράνης και του υποστρώματος είναι καλή.Υψηλή πυκνότητα φιλμ.Το πάχος του φιλμ μπορεί να ελεγχθεί και η επαναληψιμότητα είναι καλή.Το μειονέκτημα είναι ότι ο εξοπλισμός είναι πολύπλοκος και απαιτεί συσκευές υψηλής τάσης.
Επιπλέον, ο συνδυασμός της μεθόδου διαπνοής και της μεθόδου επιμετάλλωσης είναι η επίστρωση ιόντων.Τα πλεονεκτήματα αυτής της μεθόδου είναι η ισχυρή πρόσφυση μεταξύ του φιλμ και του υποστρώματος, ο υψηλός ρυθμός εναπόθεσης και η υψηλή πυκνότητα του φιλμ.
Ώρα δημοσίευσης: Μάιος-09-2022