Η επίστρωση με διασκορπισμό Magnetron είναι μια νέα μέθοδος επίστρωσης με φυσικό ατμό, σε σύγκριση με την προηγούμενη μέθοδο επίστρωσης με εξάτμιση, τα πλεονεκτήματά της από πολλές απόψεις είναι αρκετά αξιοσημείωτα.Ως ώριμη τεχνολογία, η επιμετάλλωση μαγνητρονίων έχει εφαρμοστεί σε πολλά πεδία.
Αρχή επιμετάλλωσης μαγνητρονίου:
Ένα ορθογώνιο μαγνητικό πεδίο και ένα ηλεκτρικό πεδίο προστίθενται μεταξύ του διασκορπισμένου πόλου στόχου (κάθοδος) και της ανόδου και το απαιτούμενο αδρανές αέριο (συνήθως αέριο Ar) γεμίζεται στον θάλαμο υψηλού κενού.Ο μόνιμος μαγνήτης σχηματίζει ένα μαγνητικό πεδίο 250-350 gaus στην επιφάνεια του υλικού στόχου και το ορθογώνιο ηλεκτρομαγνητικό πεδίο αποτελείται από το ηλεκτρικό πεδίο υψηλής τάσης.Υπό την επίδραση του ηλεκτρικού πεδίου, ο ιονισμός του αερίου Ar σε θετικά ιόντα και ηλεκτρόνια, στόχος και έχει ορισμένη αρνητική πίεση, από τον στόχο από τον πόλο με την επίδραση του μαγνητικού πεδίου και την αύξηση της πιθανότητας ιονισμού του αερίου εργασίας, σχηματίζουν ένα πλάσμα υψηλής πυκνότητας κοντά στο κάθοδος, ιόν Ar υπό τη δράση της δύναμης lorentz, επιτάχυνση για να πετάξει στην επιφάνεια στόχο, βομβαρδίζοντας την επιφάνεια στόχου με υψηλή ταχύτητα, Τα διασκορπισμένα άτομα στον στόχο ακολουθούν την αρχή της μετατροπής της ορμής και πετούν μακριά από την επιφάνεια στόχο με υψηλή κινητική ενέργεια στο φιλμ εναπόθεσης υποστρώματος.
Η διασκορπισμός μαγνητρονίων γενικά χωρίζεται σε δύο είδη: διασκορπισμό συνεχούς ρεύματος και διασκορπισμό ραδιοσυχνοτήτων.Η αρχή του εξοπλισμού διασκορπισμού συνεχούς ρεύματος είναι απλή και ο ρυθμός είναι γρήγορος κατά την εκτόξευση μετάλλου.Η χρήση της ραδιοσυχνότητας είναι πιο εκτεταμένη, εκτός από τη διασκορπισμό αγώγιμων υλικών, αλλά και τη διασκορπισμό μη αγώγιμων υλικών, αλλά και την προετοιμασία αντιδραστικής εκτόξευσης οξειδίων, νιτριδίων και καρβιδίων και άλλων σύνθετων υλικών.Εάν η συχνότητα της ραδιοσυχνότητας αυξηθεί, μετατρέπεται σε ψεκασμό πλάσματος μικροκυμάτων.Προς το παρόν, χρησιμοποιείται συνήθως η ψεκασμός πλάσματος μικροκυμάτων τύπου ηλεκτρονίων κυκλοτρονίων (ECR).
Υλικό στόχου επίστρωσης με ψεκασμό Magnetron:
Υλικό στόχου επιμετάλλωσης μετάλλων, υλικό επίστρωσης κράματος επίστρωσης, υλικό επίστρωσης κεραμικού διασκορπισμού, υλικά στόχου κεραμικού βοριδίου, κεραμικό υλικό στόχου καρβιδίου, κεραμικό υλικό στόχου φθοριούχου διασκορπισμού, νιτρίδιο κεραμικό υλικό στόχου διασκορπισμού, νιτρίδιο κεραμικό υλικό στόχου, οξείδιο στόχου celenteride πυριτικά κεραμικά υλικά στόχων διασκορπισμού, θειούχο κεραμικό υλικό στόχου, κεραμικός στόχος Telluride, άλλος κεραμικός στόχος, κεραμικός στόχος οξειδίου του πυριτίου με πρόσμειξη χρωμίου (CR-SiO), στόχος φωσφιδίου ινδίου (InP), στόχος αρσενιδίου μολύβδου (PbAs), στόχος (InAs).
Ώρα δημοσίευσης: Αυγ-03-2022